重點新材料首批次應用示范指導目錄（2024年版）解讀

重點新材料首批次應用示范指導目錄（2024年版）解讀

工信部原函〔2023〕367號發布《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2024年版）》（2024年1月1日起實施），共收錄材料299種，其中的6種先進材料可用于覆銅板前沿產品的創新開發：

1、高性能銅板、銅箔。性能要求：

（1）高頻高速基板用壓延銅箔：典型厚度及精度 12±0.5μm，單位面積質量 100～111g/m 2 ，寬度及精度 520±1.5mm，抗拉強度（室溫）≥460MPa，抗拉強度（180℃×30min）≤210MPa，延伸率（室溫）≥0.7%，延伸率（180℃×30min）≥4%，空氣中 200℃×60min無氧化，粗糙度 M 面（Rz）≤1.3μm，剝離強度≥0.7N/mm；

（2）超低輪廓度壓延銅箔：表面粗糙度 Rz≤0.9μm，抗剝離強度≥0.8N/mm，滑動彎曲性能≥15 萬次，FCCL 的 180°彎折試驗≥5次；

（3）12μm 高撓曲壓延銅箔：光面 Ra：0.11μm；毛面 Ry：1.5μm；抗拉強度（常溫）≥455Mpa，延伸率（常溫）≥2.5%；抗拉強度（180℃*1h）≥205Mpa，延伸率（180℃*1h）≥4.5%，撓曲次數≥30000 次（180℃*1h）；

（4）高頻超低輪廓電解銅箔：抗拉強度（室溫）≥350Mpa，抗拉強度（180℃）≥180Mpa，延伸率（室溫）≥6.0%，延伸率（180℃）≥3.0%；抗氧化性：200℃烘烤 60min 不氧化；粗糙度：HVLP1 銅箔 M 面 Rz≤2.0μm，HVLP2 銅箔 M 面 Rz≤1.5μm，HVLP3 銅箔 M 面 Rz≤1.0μm。

（5）超低輪廓反轉電解銅箔：抗拉強度（室溫）≥350Mpa，抗拉強度（180℃）≥180Mpa；延伸率（室溫）≥3.0%，延伸率（180℃）≥3.0%；抗氧化性：200℃烘烤 60min 不氧化；處理面粗糙度：RTF1 等級 Rz≤3.0μm，RTF2 等級 Rz≤2.5μm，RTF3 等級 Rz≤2.0μm。

2、電子級環氧樹脂。性能要求：

（1）電子級環氧樹脂：可水解氯≤200ppm，總氯≤250ppm，氯離子≤5ppm；

（2）電子級氫化雙酚 A 環氧樹脂：可水解氯≤50ppm，總氯≤200ppm，氯離子≤5ppm，環氧當量 180～210g/mol，粘度 600～900厘泊/25℃；

（3）超高耐熱脂環族環氧樹脂：環氧當量 100～110g/mol，粘度 50～70 厘泊/25℃，水分≤0.05%，總氯≤300ppm，環氧-酸酐固化體系 Tg≥260℃。

3、有機硅無溶劑浸漬樹脂。性能要求：

固化厚層耐高低溫（-45℃30min～+155℃30min）沖擊性能，不開裂；牽引電機組用線棒耐高低溫（-45℃30min～+155℃30min）沖擊性能，不開裂；浸漬樹脂絕緣性能：電氣強度（常態）≥24MV/m，體積電阻率（常態）≥1×10 14 Ω·m，介質損耗因數（常態）≤1.0，浸漬樹脂貯存穩定性 24h（閉口法，100±2℃，增長倍數），≤1 倍，浸漬樹脂粘結強度（裸鋁線）≥50N。

4、超薄電子布。性能要求：

（1）1035 電子布：經緯密度（26±2）×（26.8±2）根/cm，厚度 0.028±0.01mm，單位面積質量 30±1g/m 2 ；

（2）1037 電子布：經緯密度 27.6×28.7 根/cm，厚度 0.027±0.01mm，單位面積質量 23±1g/m 2 ；

（3）1010 電子布：經緯密度（38±2）×（38±2）根/cm，厚度 0.011±0.01mm，單位面積質量 10.1±1g/m 2 ；

（4）極薄型電子布 1027：經緯密度 29.5×29.5 根/cm，厚度 0.019±0.01mm，單位面積質量 20±1g/m 2 ；

（5）極薄型電子布 1017：經緯密度 37.4×37.4 根/cm，厚度 0.014±0.01mm，單位面積質量 12±1g/m 2 。

5、芳綸及制品。性能要求：

（1）芳綸絕緣紙：灰分≤0.5%，擊穿電壓≥15kV/mm，抗張強度≥2.5kN/m；芳綸蜂窩紙：透氣度≤0.015μm/Pa·s，撕裂度：≥650mN（MD）、≥1100mN（CD），模量：≥2.5GPa（MD）、≥1.5GPa（CD）；

（2）芳綸 1313 沉析纖維：干度≤20%，白度≥80%，機械打漿度 65±5°SR，DMAC 含量≤500ppm。

6、第三代功率半導體封裝用 AMB 陶瓷覆銅基板。性能要求：

空洞率（C-SAM，分辨率 50μm）≤0.3%；剝離強度（N/mm）≥10；冷熱沖擊壽命（cycle）≥5000；可焊性≥95%；打線性能：剪切力≥1000gf。